اعلنت شركة سامسونج بشكل رسمي خططها لتطوير صناعة الذاكرة الفلاش NAND الى مستوى جديد حيث كشفت الشركة عن تطويرها للذاكرة V-NAND من الجيل العاشر بـ 430 طبقة مكدسة وهو عدد كبير جدا من الطبقات
تمت تحسين اسواق ذواكر فلاش NAND بسرعة من خلال اصلاح الوضع الاقتصادي السيئ الذي كانت عليه في الاشهر السابقة بفضل تنظيم مستويات المخزون وزيادة طلب المستهلكين على الذواكر
شاهد ايضا :
يبدو ان سامسونج تسعى للاستفادة من انتعاش سوق ذاكرة فلاش NAND من خلال اطلاق ذاكرة V-NAND الجيل التاسع والتي تتميز بـ290 طبقة مكدسة تضع معيارا جديدا لرقاقات الذاكرة المستخدمة في اقراص التخزين SSD
وتشير وسائل الاعلام الكورية الى ان سامسونج تعتزم اصدار ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع في الشهر القادم لتحل محل الجيل السابق الذي كان يحتوي على 236 طبقة مكدسة
حتى الان يبدو ان شركة سامسونج تتفوق بشكل كبير على منافسيها مثل شركة Kioxia وSK Hynix وميكرون و YMTC في تطبيق التقنيات المتقدمة حيث اعلنت الشركة الكورية عن تطوير ذاكرة V-NAND بـ 430 طبقة مكدسة من الجيل العاشر والمتوقع اطلاقها في العام المقبل
تعتبر تقنية الكواكب المزدوجة من مزايا عملية تصنيع ذاكرة NAND من الجيل التاسع حيث تركز على تكديس المزيد من الطبقات في قنوات الذاكرة المتعددة وتعتمد هذه التقنية على استخدام الكهرباء لربط الخلايا الفردية معًا والتي تكون اكثر تكلفة من طرق التكديس التقليدية بكثير
تسعى الشركات الصانعة بجد الى تحقيق هدفها الطموح وهو تطوير ذاكرة 3D NAND ذات 1000 طبقة متراكمة بحلول عام 2030
